NCEP033N10D دیتاشیت

NCEP033N10D

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NCEP033N10D
حجم فایل 80.312 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت NCEP033N10D

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Wuxi NCE Power Semiconductor NCEP033N10D
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 245W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 127.7nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 7810.5pF@50V
  • Continuous Drain Current (Id): 160A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 30pF@50V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.7mΩ@10V,80A
  • Package: TO-263
  • Manufacturer: Wuxi NCE Power Semiconductor

محصولات مشابه